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Distinções
Bruno Teixeira premiado na E-MRS Spring Meeting 2018
Aluno de Doutoramento do DFis recebe o prémio para jovens cientistas em Estrasburgo
Bruno Silva Teixeira
Bruno Silva Teixeira, estudante do Programa Doutoral em Engenharia Física da Universidade de Aveiro (UA) e do Doctoral Program in Applied and Engineering Physics da FCT, foi congratulado com o prémio para jovens cientistas (Graduate Student Award) no encontro europeu da European Materials Research Society, realizado em Estrasburgo, França, entre 17 e 22 de junho. “Ion irradiation-induced easy-cone anisotropy in MgO/FeCoB/MgO” foi o tema do trabalho que premiou o estudante da UA.

O trabalho apresentado foi efetuado no Departamento de Física (DFis) / Instituto de Nanoestruturas, Nanomodelação e Nanofabricação (i3N), em estreita colaboração com o laboratório SPINTEC (SPINtronique et TEchnologie des Composants) de Grenoble e com o Instituto de Plasmas e Fusão Nuclear (IPFN) do Instituto Superior Técnico de Lisboa, e enquadra-se no seu trabalho de doutoramento em curso sob o tema “Ferromagnetic multilayers with programmable magnetic anisotropy”, orientado pelo professor Nikolai Sobolev do DFis.

O estudo demonstra a possibilidade do uso de irradiação iónica para a modificação intencional das interfaces de camadas de FeCo/MgO. Esta modificação, por sua vez, permite o controlo da direção da magnetização relativamente ao plano da interface, induzindo um estado de “cone fácil”. Este último possibilita a redução do tempo de incubação necessário para a comutação entre os estados correspondentes a 1 e 0 do código binário nas promissoras memórias RAM não voláteis baseadas no efeito de transferência de torque por spin (STT MRAM - Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory).Os dispositivos STT MRAM encontram-se em desenvolvimento industrial para a substituição em massa da tecnologia DRAM (Dynamic Random Access Memory).

O método proposto permitirá a correção da direção da magnetização após a preparação dos materiais, para, dessa forma, aumentar a velocidade de operação e em simultâneo reduzir a corrente necessária para a comutação, contribuindo para uma maior eficiência energética destas novas memórias.

Os resultados do estudo foram recentemente publicados na revista Applied Physics Letters e podem ser consultados em https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5026854

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